IXYP20N65C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO220-3

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

870 руб.

от 3 шт. — 760 руб.

от 10 шт. — 588 руб.

от 50 шт. — 483.09 руб.

1 шт. на сумму 870 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004285764

Артикул: IXYP20N65C3D1

Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 20А, 200Вт, TO220-3 Характеристики

Brand:	IXYS
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	2.5 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	50 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	50
Manufacturer:	IXYS
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	200 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Series:	Planar
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Tradename:	XPT, GenX3
Вес, г	2

pdf, 249 КБ

Мы рекомендуем