IXYA15N65C3D1, Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 15А, 200Вт, TO263
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
770 руб.
от 3 шт. —
680 руб.
от 10 шт. —
525 руб.
от 50 шт. —
431.40 руб.
1 шт.
на сумму 770 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 15А, 200Вт, TO263 Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO263 |
| Collector current | 15A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 19nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | SMD |
| Power dissipation | 200W |
| Pulsed collector current | 80A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 102ns |
| Turn-on time | 36ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 1.49 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 222 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
