IXYP10N65C3D1M, Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 7А, 53Вт, TO220FP
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
720 руб.
от 3 шт. —
630 руб.
от 10 шт. —
496 руб.
1 шт.
на сумму 720 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Transistors\IGBT transistors and modules\IGBT transistors
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 650В, 7А, 53Вт, TO220FP Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
Технические параметры
| Case | TO220FP |
| Collector current | 7A |
| Collector-emitter voltage | 650V |
| Gate charge | 18nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | tube |
| Manufacturer | IXYS |
| Mounting | THT |
| Power dissipation | 53W |
| Pulsed collector current | 50A |
| Technology | GenX3™, Planar, XPT™ |
| Turn-off time | 128ns |
| Turn-on time | 44ns |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 2.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 245 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
