ECH8308-TL-H
![ECH8308-TL-H](https://static.chipdip.ru/lib/553/DOC006553434.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 2 шт. —
230 руб.
от 3 шт. —
196 руб.
1 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Электроэлемент
ECH8308-TL-H P-channel MOSFET Transistor, 10 A, 12 V, 8-Pin ECH | ON Semiconductor ECH8308-TL-H
Технические параметры
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 10A(Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
FET Feature | - |
FET Type | P-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 4.5V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2300pF @ 6V |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 150В°C(TJ) |
Package / Case | 8-SMD, Flat Lead |
Packaging | Cut Tape(CT) |
Part Status | Active |
Power Dissipation (Max) | 1.6W(Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.5 mOhm @ 5A, 4.5V |
Series | - |
Supplier Device Package | 8-ECH |
Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±10V |
Vgs(th) (Max) @ Id | - |
Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 12.5 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | P-Channel |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | ECH8308 |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 P-Channel |
Торговая марка | ON Semiconductor |
Упаковка / блок | ECH-8 |
Техническая документация
Datasheet ECH8308-TL-H
pdf, 206 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов