U430, JFET JFET N-Channel(Dual) -25V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
454 шт., срок 6-8 недель
5 240 руб.
от 10 шт. —
4 390 руб.
от 25 шт. —
4 000 руб.
от 50 шт. —
3 509.60 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 240 руб.
Плати частями
от 1 310 руб. × 4 платежа
от 1 310 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
Brand: | InterFET |
Configuration: | Dual |
Drain-Source Current at Vgs=0: | 30 mA |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
Forward Transconductance - Min: | 10 mS |
Gate-Source Cut-off Voltage: | -4 V |
Id - Continuous Drain Current: | 1 nA |
Manufacturer: | InterFET |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-78-8 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 500 mW(1/2 W) |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Series: | U430 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -25 V |
Вес, г | 2.13 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 291 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.