PJA138K_R1_00001, MOSFETs 50V N-Channel Enhancement Mode MOSFETESD Protected

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

79063 шт., срок 5-7 недель

60 руб.

от 10 шт. — 42 руб.

от 100 шт. — 26 руб.

от 1000 шт. — 10.83 руб.

1 шт. на сумму 60 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8004576978

Артикул: PJA138K_R1_00001

Unclassified

Brand:	Panjit
Channel Mode:	Enhancement
Configuration:	Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Fall Time:	23 ns
Id - Continuous Drain Current:	500 mA
Manufacturer:	Panjit
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	1 Channel
Package/Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	500 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	630 pC
Rds On - Drain-Source Resistance:	4.5 Ohms
Rise Time:	19.2 ns
Series:	NFET-50TMN
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	6.2 ns
Typical Turn-On Delay Time:	2.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	50 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.5 V
Continuous Drain Current (Id)	500mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	1.6Ω@500mA, 10V
Drain Source Voltage (Vdss)	50V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	1.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	50pF@25V
Power Dissipation (Pd)	500mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	1nC@4.5V
Type	1PCSNChannel
Вес, г	0.01

pdf, 360 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем