STGWA30IH65DF, IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

40 шт., срок 5-7 недель

770 руб.

от 10 шт. — 610 руб.

1 шт. на сумму 770 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения1

Номенклатурный номер: 8004583845

Артикул: STGWA30IH65DF

Unclassified

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) PTD IGBT & IPM

Pd - рассеивание мощности:	180 W
Вид монтажа:	Through Hole
Конфигурация:	Single
Максимальная рабочая температура:	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер:	20 V
Минимальная рабочая температура:	- 55 C
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер:	1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C:	60 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.:	30 A
Подкатегория:	IGBTs
Производитель:	STMicroelectronics
Размер фабричной упаковки:	600
Тип продукта:	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер:	250 nA
Торговая марка:	STMicroelectronics
Упаковка / блок:	TO-247-3
Упаковка:	Tube
Collector Emitter Saturation Voltage	1.55В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	60А
Power Dissipation	180Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	IH
Максимальная Рабочая Температура	175°C
Монтаж транзистора	Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора	TO-247LL
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	60 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	108 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-247
Pin Count	4
Вес, г	6.1