CSD17527Q5A, MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
320 руб.
от 10 шт. —
250 руб.
от 100 шт. —
179 руб.
от 500 шт. —
141.24 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 320 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFETСиловые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 3.2 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 44 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 3 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 2.8 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.8 mOhms |
| Rise Time: | 8.2 ns |
| Series: | CSD17527Q5A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 9.8 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.6 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Automotive | No |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 13 |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 10.8@10V |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 30 |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 3000 |
| Military | No |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Operating Temperature - (??C) | -55~150 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Process Technology | NexFET |
| Standard Package Name | SON |
| Supplier Package | VSONP EP |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 2.8@4.5V |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 422@15V |
| Вес, кг | 2.26 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
