CSD17575Q3T, MOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET

CSD17575Q3T, MOSFETs 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
230 руб.
от 10 шт.190 руб.
от 100 шт.150 руб.
от 250 шт.144.66 руб.
1 шт. на сумму 230 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004605649
Артикул: CSD17575Q3T
Бренд: Texas Instruments

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 250
Fall Time: 3 ns
Forward Transconductance - Min: 118 S
Id - Continuous Drain Current: 60 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: VSON-CLIP-8
Pd - Power Dissipation: 108 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 23 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 2.6 mOhms
Rise Time: 10 ns
Series: CSD17575Q3
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Tradename: NexFET
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 4 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.4 V
Вес, г 0.02

Техническая документация

Datasheet
pdf, 474 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов