CSD18563Q5A, MOSFET 60V N-Channel NexFET Power MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 10 шт. —
290 руб.
от 100 шт. —
217 руб.
от 500 шт. —
176.42 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги3
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
Мощные N-канальные МОП-транзисторы NexFETСиловые N-канальные МОП-транзисторы NexFET компании Texas Instruments предназначены для минимизации потерь в приложениях преобразования энергии. Эти N-канальные устройства отличаются сверхнизкими значениями Qg и Qd и низким термическим сопротивлением. Эти устройства защищены от лавин и поставляются в пластиковом корпусе SON размером 5 мм x 6 мм.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 1.7 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | VSONP-8 |
| Pd - Power Dissipation: | 116 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Product: | Power MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 6.8 mOhms |
| Rise Time: | 6.3 ns |
| Series: | CSD18563Q5A |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | NexFET |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Type: | 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 11.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 3.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Brand | Texas Instruments |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 250 |
| Fall Time | 1.7 ns |
| Forward Transconductance - Min | 60 S |
| Id - Continuous Drain Current | 91 A |
| Manufacturer | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | VSON-FET-8 |
| Packaging | Reel |
| Pd - Power Dissipation | 3.2 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 5.7 mOhms |
| Rise Time | 6.3 ns |
| RoHS | Details |
| Series | CSD18563Q5A |
| Technology | Si |
| Tradename | NexFET |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Type | NexFET Power MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time | 11.4 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 3.2 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet CSD18563Q5AT
pdf, 850 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
