CSD25481F4T, MOSFETs 20V ,PCh FemtoFET MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
180 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
102 руб.
от 250 шт. —
98.34 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
FemtoFET Power MOSFETTexas Instruments FemtoFET Power MOSFET имеют сверхмалые габариты (размер корпуса 0402) и сверхнизкое сопротивление (на 70 % меньше, чем у конкурентов). Эти полевые МОП-транзисторы имеют сверхнизкие характеристики Qg, Qgd и оптимизированный рейтинг электростатического разряда. Они доступны в пакете массива наземной сети (LGA). Этот пакет максимально увеличивает содержание кремния, что делает их идеальными для приложений с ограниченным пространством. Эти мощные полевые МОП-транзисторы обеспечивают низкое рассеивание мощности и низкие потери при переключении для улучшения характеристик при малой нагрузке. Типичными приложениями для этих устройств являются портативные, мобильные устройства, устройства переключения нагрузки, устройства общего назначения и аккумуляторы.
Технические параметры
| Brand: | Texas Instruments |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 250 |
| Fall Time: | 6.7 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 3.3 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.5 A |
| Manufacturer: | Texas Instruments |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | PICOSTAR-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 913 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 800 mOhms |
| Rise Time: | 3.6 ns |
| Series: | CSD25481F4 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | FemtoFET |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Type: | FemtoFET MOSFET |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16.9 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 4.1 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 950 mV |
| Вес, г | 683 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 933 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
