2N2102 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

1434 шт., срок 5-7 недель

620 руб.

от 10 шт. — 490 руб.

от 100 шт. — 415 руб.

от 250 шт. — 380.61 руб.

1 шт. на сумму 620 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004612071

Артикул: 2N2102 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	65 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	1 A
DC Collector/Base Gain hfe Min:	40
DC Current Gain hFE Max:	120
Emitter- Base Voltage VEBO:	7 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	500
Gain Bandwidth Product fT:	60 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	1 A
Maximum Operating Temperature:	+200 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-39
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	1 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	1.26