BGB 707L7ESD E6327, RF Amplifier RF BIP TRANSISTORS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
330 руб.
от 10 шт. —
280 руб.
от 100 шт. —
206 руб.
от 500 шт. —
158.71 руб.
1 шт.
на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
RF & Wireless\RF Integrated Circuits\RF Amplifier
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 7500 |
| Gain: | 27 dB |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| NF - Noise Figure: | 0.7 dB |
| OIP3 - Third Order Intercept: | 19.5 dBm |
| Operating Frequency: | 2.3 GHz to 2.7 GHz |
| Operating Supply Current: | 10 mA |
| Operating Supply Voltage: | 1.8 V to 4 V |
| P1dB - Compression Point: | 8 dBm |
| Package / Case: | TSLP-7-1 |
| Pd - Power Dissipation: | 100 mW |
| Product Category: | RF Amplifier |
| Product Type: | RF Amplifier |
| Series: | BGB707L7 |
| Subcategory: | Wireless & RF Integrated Circuits |
| Supply Voltage - Max: | 4 V |
| Supply Voltage - Min: | 1.8 V |
| Technology: | SiGe |
| Test Frequency: | 1.5 GHz |
| Type: | Low Noise Amplifiers |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 882 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «ВЧ усилители»
Типы корпусов импортных микросхем
