FZ2000R33HE4BOSA1, IGBT Modules IHV IHM T
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
533 600 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 533 600 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
FZ2000R33HE4 & amp; Модули IGBT на 3300 В FZ1400R33HE4 Infineon Technologies Однокнопочные модули IGBT на 3300 В FZ2000R33HE4 и FZ1400R33HE4 предлагают TRENCHSTOP ™ IGBT4 и 4 диода с эмиттерным управлением. Биполярные транзисторы с изолированным затвором представляют собой силовые полупроводниковые устройства с тремя выводами, которые используются в качестве электронных переключателей для сочетания высокой эффективности и быстрого переключения. FZ2000R33HE4 - это модуль с одним переключателем, 190 мм, 2000 А. FZ1400R33HE4 - это модуль с одним переключателем, 130 мм, 1400 А. Эти устройства обладают высокой способностью к короткому замыканию и высокой плотностью тока с низкими коммутационными потерями. Применения включают преобразователи большой мощности, преобразователи среднего напряжения, а также моторные и тяговые приводы.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Manufacturer: | Infineon |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | FZ2000R33HE4 SP003062218 |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Series: | Trenchstop IGBT4-E4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Tradename: | TRENCHSTOP |
| Base Product Number | FZ2000 -> |
| Configuration | Single Switch |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 2000A |
| Current - Collector Cutoff (Max) | 5mA |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.21.0095 |
| IGBT Type | Trench Field Stop |
| Input | Standard |
| Input Capacitance (Cies) @ Vce | 280nF @ 25V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| NTC Thermistor | No |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Tray |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 4.2mW |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | AG-IHVB190-3 |
| Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.2V @ 15V, 2kA (Typ) |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 3300V |
| Collector Emitter Saturation Voltage | 2.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 3.3кВ |
| Continuous Collector Current | 2кА |
| DC Ток Коллектора | 2кА |
| Выводы БТИЗ | Tab |
| Конфигурация БТИЗ | Single Switch |
| Линейка Продукции | IHM-B Series |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальная Температура Перехода Tj | 150°C |
| Монтаж транзистора | Panel |
| Напряжение Коллектор-Эмиттер | 3.3кВ |
| Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) | 2.2В |
| Стиль Корпуса Транзистора | Module |
| Технология БТИЗ | IGBT 4(Trench/Field Stop) |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 733 КБ
Datasheet FZ2000R33HE4BOSA1
pdf, 697 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
