IGW50N60T, IGBT Transistors LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A

Описание Транзистор БТИЗ IGW50N60T от производителя INFINEON – высокомощный полупроводниковый компонент, предназначенный для эффективного коммутирования и усиления сигналов в различных электронных устройствах. Модель характеризуется током коллектора до 50 А и напряжением коллектор-эмиттер до 600 В, что обеспечивает его применение в силовой электронике. Мощность устройства достигает 333 Вт, что гарантирует стабильность работы в условиях высоких нагрузок. Монтаж данного транзистора осуществляется методом THT, что упрощает процесс интеграции в печатные платы. Вид IGBT указывает на биполярный тип с изолированным затвором, предоставляя преимущества в управлении мощными нагрузками. Данный компонент поставляется в надежном корпусе PG-TO247-3, обеспечивающем эффективный теплоотвод и простоту монтажа. Идеален для широкого спектра применений, включая преобразователи частоты, источники питания и сварочное оборудование. Приобретая IGW50N60T, вы получаете надежный и долговечный компонент для вашей электроники. Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	БТИЗ
Вид	IGBT
Монтаж	THT
Ток коллектора, А	50
Напряжение коллектор-эмиттер, В	600
Мощность, Вт	333
Корпус	PG-TO247-3