IHW20N120R5, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop

IHW20N120R5, IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
950 руб.
от 10 шт.870 руб.
от 25 шт.673 руб.
от 100 шт.540.99 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 950 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004635471
Артикул: IHW20N120R5

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS TrenchStop

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 288 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № SP001150026 IHW20N120R5XKSA1
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.55 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 240
Серия RC
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tube
Упаковка / блок TO-247-3
Вес, г 6

Техническая документация

Datasheet IHW20N120R5
pdf, 1901 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов