IKW75N60H3FKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14
![Фото 1/2 IKW75N60H3FKSA1, IGBT Transistors INDUSTRY 14](https://static.chipdip.ru/lib/945/DOC035945539.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/052/DOC045052432.jpg)
2 010 руб.
от 10 шт. —
1 860 руб.
от 25 шт. —
1 590 руб.
от 100 шт. —
1 431.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 010 руб.
Плати частями
от 504 руб. × 4 платежа
от 504 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
The Infineon high speed 600 V, 75 A hard-switching TRENCHSTOP IGBT3 co-packed with free-wheeling diode in a TO-247 package provides the best compromise between switching and conduction losses.
Технические параметры
Case | TO247-3 |
Collector current | 75A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 470nC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Mounting | THT |
Power dissipation | 428W |
Pulsed collector current | 225A |
Semiconductor structure | single transistor |
Technology | TRENCHSTOP™ |
Turn-off time | 332ns |
Turn-on time | 85ns |
Type of transistor | IGBT |
Maximum Power Dissipation | 428 W |
Package Type | PG-TO247-3 |
Вес, г | 4.43 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов