IXGH24N120C3, IGBTs 48 Amps 1200V
![Фото 1/2 IXGH24N120C3, IGBTs 48 Amps 1200V](https://static.chipdip.ru/lib/758/DOC043758074.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/517/DOC006517015.jpg)
2 690 руб.
от 10 шт. —
2 190 руб.
от 30 шт. —
1 860 руб.
от 120 шт. —
1 589.04 руб.
1 шт.
на сумму 2 690 руб.
Плати частями
от 674 руб. × 4 платежа
от 674 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор: IGBT, GenX3™, 1,2кВ, 24А, 250Вт, TO247-3 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 250 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 3.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 48 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Серия | IXGH24N120 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Вес, г | 6 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов