IXYN50N170CV1, IGBTs 1700V/120A High Volt

Фото 1/2 IXYN50N170CV1, IGBTs 1700V/120A High Volt
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
12 390 руб.
от 10 шт.10 010 руб.
от 20 шт.9 010 руб.
от 50 шт.8 843.33 руб.
1 шт. на сумму 12 390 руб.
Плати частями
от 3 099 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004636863
Артикул: IXYN50N170CV1
Бренд: Ixys Corporation

Описание

Unclassified
Решения для медицинского оборудования

Решения для медицинского оборудования Littelfuse включают надежные и качественные компоненты, необходимые для обеспечения надежной работы и бесперебойной работы оборудования. Эти решения включают аппараты ИВЛ, дефибриллятор и ультразвук. Решения Littelfuse для медицинского оборудования идеально подходят для систем жизнеобеспечения, оборудования для ухода за пациентами и систем мониторинга пациентов.

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности: 880 W
Вид монтажа: SMD/SMT
Конфигурация: Single
Максимальная рабочая температура: +175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: 20 V
Минимальная рабочая температура: -55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: 1700 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: 2.8 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: 120 A
Подкатегория: IGBTs
Производитель: IXYS
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: 10
Технология: Si
Тип продукта: IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер: 100 nA
Торговая марка: IXYS
Упаковка / блок: SOT-227B-4
Упаковка: Tube
California Prop 65 Warning Information
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Current - Collector Pulsed (Icm) 485A
ECCN EAR99
Gate Charge 260nC
HTSUS 8541.29.0095
Input Type Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C (TJ)
Package Tube
Package / Case SOT-227-4, miniBLOC
Power - Max 880W
REACH Status REACH Unaffected
Reverse Recovery Time (trr) 255ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series XPTв„ў ->
Supplier Device Package SOT-227B
Switching Energy 8.7mJ (on), 5.6mJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C 22ns/236ns
Test Condition 850V, 50A, 1Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 50A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Вес, г 30

Техническая документация

Datasheet IXYN50N170CV1
pdf, 211 КБ
Datasheet IXYN50N170CV1
pdf, 208 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов