IXYN50N170CV1, IGBTs 1700V/120A High Volt
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
12 390 руб.
от 10 шт. —
10 010 руб.
от 20 шт. —
9 010 руб.
от 50 шт. —
8 843.33 руб.
1 шт.
на сумму 12 390 руб.
Плати частями
от 3 099 руб. × 4 платежа
от 3 099 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Решения для медицинского оборудования Решения для медицинского оборудования Littelfuse включают надежные и качественные компоненты, необходимые для обеспечения надежной работы и бесперебойной работы оборудования. Эти решения включают аппараты ИВЛ, дефибриллятор и ультразвук. Решения Littelfuse для медицинского оборудования идеально подходят для систем жизнеобеспечения, оборудования для ухода за пациентами и систем мониторинга пациентов.
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 880 W |
Вид монтажа: | SMD/SMT |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | +175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 20 V |
Минимальная рабочая температура: | -55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 1700 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 2.8 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 120 A |
Подкатегория: | IGBTs |
Производитель: | IXYS |
Размер фабричной упаковки: Размер фабричной упаковки: | 10 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер: | 100 nA |
Торговая марка: | IXYS |
Упаковка / блок: | SOT-227B-4 |
Упаковка: | Tube |
California Prop 65 | Warning Information |
Current - Collector (Ic) (Max) | 120A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 485A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 260nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Chassis Mount |
Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | SOT-227-4, miniBLOC |
Power - Max | 880W |
REACH Status | REACH Unaffected |
Reverse Recovery Time (trr) | 255ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Series | XPTв„ў -> |
Supplier Device Package | SOT-227B |
Switching Energy | 8.7mJ (on), 5.6mJ (off) |
Td (on/off) @ 25В°C | 22ns/236ns |
Test Condition | 850V, 50A, 1Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 3.7V @ 15V, 50A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1700V |
Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet IXYN50N170CV1
pdf, 211 КБ
Datasheet IXYN50N170CV1
pdf, 208 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов