R6025JNXC7G, MOSFETs R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
![R6025JNXC7G, MOSFETs R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.](https://static.chipdip.ru/lib/816/DOC006816934.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1982 шт., срок 5-7 недель
1 360 руб.
от 50 шт. —
910 руб.
от 100 шт. —
773 руб.
от 500 шт. —
703.19 руб.
1 шт.
на сумму 1 360 руб.
Плати частями
от 340 руб. × 4 платежа
от 340 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 600V N-CH 25A POWER
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
Pd - рассеивание мощности | 85 W |
Qg - заряд затвора | 57 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 182 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 24 ns |
Время спада | 18 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Коммерческое обозначение | PrestoMOS |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 50 |
Серия | BM14270MUV-LB |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 60 ns |
Типичное время задержки при включении | 33 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Base Product Number | R6025 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 25A (Tc) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 15V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 57nC @ 15V |
HTSUS | 8541.29.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1900pF @ 100V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
Power Dissipation (Max) | 85W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 182mOhm @ 12.5A, 15V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-220FM |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±30V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 7V @ 4.5mA |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet R6025JNXC7G
pdf, 2328 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.