RGTH00TS65GC11, IGBTs 650V 50A IGBT Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
435 шт., срок 5-7 недель
1 300 руб.
от 10 шт. —
1 010 руб.
от 25 шт. —
904 руб.
от 100 шт. —
734.89 руб.
1 шт.
на сумму 1 300 руб.
Плати частями
от 325 руб. × 4 платежа
от 325 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V 50A IGBT Stop Trench
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 277 W |
Вид монтажа: | Through Hole |
Диапазон рабочих температур: | - 40 C to + 175 C |
Другие названия товара №: | RGTH00TS65 |
Максимальная рабочая температура: | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 30 V |
Минимальная рабочая температура: | - 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.6 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 85 A |
Непрерывный коллекторный ток: | 50 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 85 A |
Подкатегория: | IGBTs |
Производитель: | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки: | 450 |
Серия: | RGTH00TS65 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер: | +/- 200 nA |
Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок: | TO-247-3 |
Упаковка: | Tube |
Base Product Number | RGTH00 -> |
Current - Collector (Ic) (Max) | 85A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 200A |
ECCN | EAR99 |
Gate Charge | 94nC |
HTSUS | 8541.29.0095 |
IGBT Type | Trench Field Stop |
Input Type | Standard |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -40В°C ~ 175В°C (TJ) |
Other Related Documents | http://rohmfs.rohm.com/en/techdata_basic/power/inn |
Package | Tube |
Package / Case | TO-247-3 |
Power - Max | 277W |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Simulation Models | http://rohmfs.rohm.com/en/products/library/spice/d |
Supplier Device Package | TO-247N |
Td (on/off) @ 25В°C | 39ns/143ns |
Test Condition | 400V, 50A, 10Ohm, 15V |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 650V |
Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet RGTH00TS65GC11
pdf, 1097 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.