RGTV00TK65DGC11, IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
456 шт., срок 5-7 недель
1 490 руб.
от 10 шт. —
1 190 руб.
от 250 шт. —
959 руб.
от 450 шт. —
858.04 руб.
1 шт.
на сумму 1 490 руб.
Плати частями
от 374 руб. × 4 платежа
от 374 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Траншейные IGBT с полевым затвором ROHM Полевые затворные транзисторы с канавкой IGBT - это энергосберегающие, высокоэффективные IGBT, которые используются в широком диапазоне высоковольтных и сильноточных приложений. Эти IGBT имеют низкое напряжение насыщения коллектора и эмиттера, короткое замыкание, которое выдерживает время, и встроенный FRD с очень быстрым и мягким восстановлением. Траншейные транзисторы IGBT с ограничителем поля идеально подходят для ИБП, стабилизаторов питания, сварочных аппаратов и инверторов общего назначения для промышленного использования.
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности: | 94 W |
Вид монтажа: | Through Hole |
Конфигурация: | Single |
Максимальная рабочая температура: | +175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер: | 30 V |
Минимальная рабочая температура: | -40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.: | 650 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер: | 1.5 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C: | 45 A |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.: | 45 A |
Подкатегория: | IGBTs |
Производитель: | ROHM Semiconductor |
Размер фабричной упаковки: | 1 |
Технология: | Si |
Тип продукта: | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер: | 200 nA |
Торговая марка: | ROHM Semiconductor |
Упаковка / блок: | TO-3PFM |
Упаковка: | Tube |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGTV00TK65DGC11
pdf, 1959 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.