2N7002BKV,115, MOSFETs NRND for Automotive Applications 2N7002BKV/SOT666/SOT6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
100733 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт. —
85 руб.
от 100 шт. —
36 руб.
от 1000 шт. —
23.81 руб.
1 шт.
на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения3
Описание
Unclassified
Описание Сборка из полевых транзисторов, 2N-канальный, 60 В, 0.34 А, 0.525 Вт Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | MOSFET |
Технические параметры
| Continuous Drain Current (Id) | 340mA |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 1Ω@10V, 500mA |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 2.1V@250uA |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 50pF@10V |
| Operating Temperature | - |
| Power Dissipation (Pd) | 350mW |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 4pF@10V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 600pC@4.5V |
| Type | 2 N-Channel |
Техническая документация
Datasheet 2N7002BKV,115
pdf, 921 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
