C3M0060065K, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial

Фото 1/2 C3M0060065K, SiC MOSFETs SiC, MOSFET, 60 mohm, 650V, TO-247-4, Industrial
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
664 шт., срок 5-7 недель
4 460 руб.
от 10 шт.3 740 руб.
от 30 шт.3 400 руб.
от 60 шт.2 986.41 руб.
1 шт. на сумму 4 460 руб.
Плати частями
от 1 115 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004655584
Артикул: C3M0060065K
Бренд: WOLFSPEED

Описание

Unclassified
650V Silicon Carbide Power MOSFETs

Wolfspeed 650V Silicon Carbide Power MOSFETs offer low on-state resistances and switching losses for maximum efficiency and power density. The 650V MOSFETs are optimized for high-performance power electronics applications, including server power supplies, electric vehicle charging systems, energy storage systems, Solar (PV) inverters, uninterruptible power supplies, and battery management systems. Compared with silicon, Wolfspeed 650V silicon carbide MOSFETs enable 75% lower switching losses, ½ the conduction losses, and 3x higher power density.

Технические параметры

Brand: Wolfspeed
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 30
Fall Time: 5 ns
Forward Transconductance - Min: 10 S
Id - Continuous Drain Current: 37 A
Manufacturer: Wolfspeed
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: Through Hole
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: TO-247-4
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 150 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET
Qg - Gate Charge: 46 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 60 mOhms
Rise Time: 11 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: SiC
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns
Typical Turn-On Delay Time: 8 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 650 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -4 V, +15 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 3.6 V
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 37 A
Maximum Drain Source Voltage 650 V
Mounting Type Through Hole
Number of Elements per Chip 1
Package Type TO-247-4
Pin Count 4
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1284 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.