RJH65T46DPQ-A0#T0, IGBTs IGBT - 650V/40A/TO-247A

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

271 шт., срок 5-7 недель

1 570 руб.

от 10 шт. — 1 330 руб.

от 25 шт. — 1 120 руб.

от 100 шт. — 890.48 руб.

1 шт. на сумму 1 570 руб.

Плати частями
от 394 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004657382

Артикул: RJH65T46DPQ-A0#T0

Unclassified

Brand:	Renesas Electronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.8 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	80 A
Continuous Collector Current Ic Max:	80 A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	25
Gate-Emitter Leakage Current:	+/-1 uA
Height:	mm
Manufacturer:	Renesas Electronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-30 V, +30 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-247A-3
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	340.9 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Вес, г	6