STGD10NC60KDT4, IGBTs N Ch 600V 10A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4254 шт., срок 5-7 недель
440 руб.
от 10 шт. —
350 руб.
от 100 шт. —
259 руб.
от 250 шт. —
221.91 руб.
1 шт.
на сумму 440 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание ИГБТ транзистор STGD10NC60KDT4 от STMicroelectronics представляет собой высокоэффективный компонент для современных электронных устройств. Монтаж данного транзистора выполнен в формате SMD, что обеспечивает удобство в интеграции на печатные платы. С током коллектора до 20 А и напряжением коллектор-эмиттер до 600 В, а также мощностью 62 Вт, этот IGBT транзистор идеально подходит для широкого спектра применений, где требуется эффективное управление энергией. Корпус DPAK обеспечивает надежную работу и долговечность. Продукт STGD10NC60KDT4 является отличным выбором для разработчиков, стремящихся к оптимизации энергопотребления в их области применения. Характеристики | Категория | Транзистор |
| Тип | БТИЗ |
| Вид | IGBT |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 20 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
| Мощность, Вт | 62 |
| Корпус | DPAK |
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2.2 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 20 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 20 A |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 62 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Series: | STGD10NC60KDT4 |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Case | DPAK |
| Collector current | 10A |
| Collector-emitter voltage | 600V |
| Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
| Gate charge | 19nC |
| Gate-emitter voltage | ±20V |
| Kind of package | reel, tape |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Mounting | SMD |
| Power dissipation | 62W |
| Pulsed collector current | 30A |
| Type of transistor | IGBT |
| Вес, г | 0.35 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1333 КБ
Datasheet STGF10NC60KD
pdf, 604 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
