STGWA50HP65FB2, IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
381 шт., срок 5-7 недель
800 руб.
от 25 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
455 руб.
от 250 шт. —
404.55 руб.
1 шт.
на сумму 800 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
The STMicroelectronics HB2 series 650 V IGBT represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.55В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 86А |
| Power Dissipation | 272Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | HB2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247LL |
| Channel Type | N |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 86 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | 20V |
| Maximum Power Dissipation | 272 W |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 6.1 |
Техническая документация
Datasheet STGWA50HP65FB2
pdf, 537 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
