2N3417 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 500mA BULK HFE/540

2N3417 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 50V 500mA BULK HFE/540
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3710 шт., срок 5-7 недель
260 руб.
от 10 шт.200 руб.
от 100 шт.152 руб.
от 500 шт.116.10 руб.
1 шт. на сумму 260 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004700440
Артикул: 2N3417 PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 50 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 500 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min: 180
DC Current Gain hFE Max: 540
Emitter- Base Voltage VEBO: 5 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2500
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 500 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-92
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 625 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.4536

Техническая документация

Datasheet
pdf, 389 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.