2N930B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

2N930B PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
295 шт., срок 5-7 недель
540 руб.
от 10 шт.430 руб.
от 100 шт.320 руб.
от 250 шт.277.68 руб.
1 шт. на сумму 540 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004700456
Артикул: 2N930B PBFREE

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 500 mV
Configuration: Single
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 2000
Gain Bandwidth Product fT: 45 MHz
Manufacturer: Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current: 30 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -65 C
Mounting Style: Through Hole
Packaging: Bulk
Pd - Power Dissipation: 500 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 374 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.