IGP30N60H3, IGBTs 600V 30A 187W
![Фото 1/2 IGP30N60H3, IGBTs 600V 30A 187W](https://static.chipdip.ru/lib/195/DOC017195403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/752/DOC043752585.jpg)
860 руб.
от 10 шт. —
650 руб.
от 100 шт. —
472 руб.
от 250 шт. —
469.18 руб.
1 шт.
на сумму 860 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Описание Транзистор БТИЗ IGP30N60H3 от производителя INFINEON является высококачественным компонентом для электроники с монтажом THT. Он обладает максимальным током коллектора 30 А и напряжением коллектор-эмиттер 600 В, что позволяет использовать его в мощных устройствах. С мощностью в 187 Вт данный IGBT транзистор гарантирует надежную и эффективную работу в различных электрических схемах. Корпус PG-TO220-3 обеспечивает удобный монтаж на печатную плату и хорошую теплоотдачу. Продукт IGP30N60H3 станет незаменимым элементом в вашем проекте, где требуется надежность и долговечность. Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Монтаж | THT |
Ток коллектора, А | 30 |
Напряжение коллектор-эмиттер, В | 600 |
Мощность, Вт | 187 |
Корпус | PG-TO220-3 |
Технические параметры
Brand: | Infineon Technologies |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.95 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 60 A |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Operating Temperature Range: | -40 C to+175 C |
Package/Case: | TO-220-3 |
Packaging: | Tube |
Part # Aliases: | SP000702546 IGP3N6H3XK IGP30N60H3XKSA1 |
Pd - Power Dissipation: | 187 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Series: | HighSpeed 3 |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Tradename: | TRENCHSTOP |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2052 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов