IXXK200N65B4, IGBTs 650V/370A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 510 руб.

от 10 шт. — 7 660 руб.

от 25 шт. — 6 650 руб.

от 50 шт. — 6 438.61 руб.

1 шт. на сумму 9 510 руб.

Плати частями
от 2 379 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004724481

Артикул: IXXK200N65B4

Unclassified

Описание Транзистор: IGBT, GenX4™, 650В, 200А, 1,63кВт, TO264 Характеристики

Pd - рассеивание мощности	1150 W
Вид монтажа	Through Hole
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Коммерческое обозначение	XPT
Конфигурация	Single
Максимальная рабочая температура	+ 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер	20 V
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C	370 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.	200 A
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	25
Серия	IXXK200N65
Технология	Si
Тип продукта	IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер	200 nA
Торговая марка	IXYS
Упаковка	Tube
Упаковка / блок	TO-264-3
Вес, г	10.6

pdf, 239 КБ

Мы рекомендуем