IXYH10N170CV1, IGBTs 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 900 руб.
от 10 шт. —
2 360 руб.
от 30 шт. —
2 000 руб.
от 120 шт. —
1 707.16 руб.
1 шт.
на сумму 2 900 руб.
Плати частями
от 725 руб. × 4 платежа
от 725 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1700V/10A XPT IGBT w/ Diode
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 280 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4.1 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 36 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 100 nA |
Торговая марка | IXYS |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | TO-247AD-3 |
Вес, г | 6 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов