BSM600D12P3G001, MOSFET Modules 576A 1200V HALF BRIDGE SIC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
412 900 руб.
1 шт.
на сумму 412 900 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Дискретные полупроводниковые модули 1200V 576A HALF BRIDGE SIC
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 358 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1570 W |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 1200 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 18 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5.6 V |
| Vr - обратное напряжение | 1200 V |
| Вид монтажа | Screw Mount |
| Время нарастания | 55 ns |
| Время спада | 55 ns |
| Категория продукта | Дискретные полупроводниковые модули |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 40 C |
| Подкатегория | Discrete Semiconductor Modules |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Продукт | Power MOSFET Modules |
| Размер фабричной упаковки | 4 |
| Тип | SiC Power MOSFET |
| Тип продукта | Discrete Semiconductor Modules |
| Типичное время задержки выключения | 240 ns |
| Типичное время задержки при включении | 45 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | Module |
| Base Product Number | BSM600 -> |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 600A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| ECCN | EAR99 |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| FET Type | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 31000pF @ 10V |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 150В°C (TJ) |
| Package | Bulk |
| Package / Case | Module |
| Power - Max | 2450W (Tc) |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | Module |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5.6V @ 182mA |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 358 A |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Package Type | Module |
| Вес, г | 513.2 |
Техническая документация
Datasheet BSM600D12P3G001
pdf, 943 КБ
Datasheet BSM600D12P3G001
pdf, 972 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
