R6024ENX, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
![R6024ENX, MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET](https://static.chipdip.ru/lib/516/DOC006516946.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
365 шт., срок 5-7 недель
1 060 руб.
от 10 шт. —
830 руб.
от 25 шт. —
787 руб.
от 100 шт. —
602.77 руб.
1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Плати частями
от 265 руб. × 4 платежа
от 265 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 10V Drive Nch МОП-транзистор
Технические параметры
Id - непрерывный ток утечки | 24 A |
Pd - рассеивание мощности | 74 W |
Qg - заряд затвора | 70 nC |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 150 mOhms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
Вид монтажа | Through Hole |
Время нарастания | 50 ns |
Время спада | 50 ns |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Размер фабричной упаковки | 500 |
Серия | Super Junction-MOS EN |
Технология | Si |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 180 ns |
Типичное время задержки при включении | 35 ns |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Reel, Cut Tape |
Упаковка / блок | TO-220-3 |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet R6024ENX
pdf, 1936 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.