RAQ045P01TCR, MOSFETs 1.5V Drive Pch MOSFET; TUMT6 Pkg T-R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
6065 шт., срок 5-7 недель
130 руб.
от 10 шт. —
120 руб.
от 100 шт. —
81 руб.
от 500 шт. —
59.78 руб.
1 шт.
на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
МОП-транзистор 1.5V Drive Pch МОП-транзистор
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 4.5 A |
| Pd - рассеивание мощности | 1.25 W |
| Qg - заряд затвора | 40 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 100 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 12 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 300 mV |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 60 ns |
| Время спада | 150 ns |
| Высота | 0.95 mm |
| Длина | 3 mm |
| Другие названия товара № | RAQ045P01 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single with ESD Protection Diode |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 12 S |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Продукт | MOSFET |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Серия | RAQ045P01 |
| Технология | Si |
| Тип | Power MOSFET |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 400 ns |
| Типичное время задержки при включении | 16 ns |
| Торговая марка | ROHM Semiconductor |
| Упаковка / блок | SOT-457T-6 |
| Ширина | 1.8 mm |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RAQ045P01TCR
pdf, 1868 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
