RGCL60TS60GC11, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-curren
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
713 шт., срок 5-7 недель
520 руб.
1 шт.
на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 111 W |
Вид монтажа | Through Hole |
Другие названия товара № | RGCL60TS60 |
Категория продукта | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I |
Конфигурация | Single |
Максимальная рабочая температура | + 175 C |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 30 V |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 48 A |
Подкатегория | IGBTs |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Технология | Si |
Тип продукта | IGBT Transistors |
Ток утечки затвор-эмиттер | 200 nA |
Торговая марка | ROHM Semiconductor |
Упаковка | Bulk |
Упаковка / блок | TO-247-3 |
Collector Emitter Saturation Voltage | 1.4В |
Collector Emitter Voltage Max | 600В |
Continuous Collector Current | 48А |
Power Dissipation | 111Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Монтаж транзистора | Through Hole |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247N |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 808 КБ
Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 614 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.