RGCL60TS60GC11, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-curren

Фото 1/2 RGCL60TS60GC11, IGBTs ROHM's IGBT products will contribute to energy saving high efficiency and a wide range of high voltage and high-curren
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
713 шт., срок 5-7 недель
520 руб.
1 шт. на сумму 520 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004726333
Артикул: RGCL60TS60GC11
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT HIGH VOLT AND CURRENT AP

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 111 W
Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № RGCL60TS60
Категория продукта Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 175 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 30 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.4 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 48 A
Подкатегория IGBTs
Размер фабричной упаковки 30
Технология Si
Тип продукта IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA
Торговая марка ROHM Semiconductor
Упаковка Bulk
Упаковка / блок TO-247-3
Collector Emitter Saturation Voltage 1.4В
Collector Emitter Voltage Max 600В
Continuous Collector Current 48А
Power Dissipation 111Вт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Through Hole
Стиль Корпуса Транзистора TO-247N
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 808 КБ
Datasheet RGCL60TS60GC11
pdf, 614 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.