RQ5E040AJTCL, MOSFETs NPN Low VCE(sat) Transistor

RQ5E040AJTCL, MOSFETs NPN Low VCE(sat) Transistor
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
3593 шт., срок 5-7 недель
110 руб.
от 10 шт.89 руб.
от 100 шт.58 руб.
от 500 шт.42.96 руб.
1 шт. на сумму 110 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8004726349
Артикул: RQ5E040AJTCL
Бренд: Rohm

Описание

Unclassified
Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9 volts to 10 volts. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. These MOSFETs come in a wide choice of sizes that are as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes help to contribute to area space saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.

Технические параметры

Brand: ROHM Semiconductor
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 5.7 ns
Id - Continuous Drain Current: 4 A
Manufacturer: ROHM Semiconductor
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-346-3
Part # Aliases: RQ5E040AJ
Pd - Power Dissipation: 1 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 4.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 27 mOhms
Rise Time: 5.9 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 26 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -12 V, +12 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV
Вес, г 0.01

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.