BUK7M3R3-40HX, MOSFETs BUK7M3R3-40H/ SOT1210/mLFPAK
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3442 шт., срок 5-7 недель
400 руб.
от 10 шт. —
330 руб.
от 100 шт. —
262 руб.
от 500 шт. —
206.25 руб.
1 шт.
на сумму 400 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETsNexperia LFPAK33 Trench 9 Automotive MOSFETs are a portfolio of low R DS(on) 40V AEC-Q101 MOSFETs for modules in demanding powertrain applications. The devices are housed in the miniature, LFPAK33 package with a footprint of only 10.9mm². The LFPAK33 MOSFETs use Nexperia's Trench 9 technology. This results in a 48% reduction in R DS(on) when compared to previous devices. These devices cover a range of applications from 30W up to 300W. BUK7M3R3-40H and BUK9M3R3-40H (Standard Level and Logic Level) devices feature a 3.3mΩ R DS(on).
Технические параметры
| Brand: | Nexperia |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Fall Time: | 9.1 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 80 A |
| Manufacturer: | Nexperia |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | LFPAK-33-8 |
| Part # Aliases: | 934660781115 |
| Pd - Power Dissipation: | 101 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.3 Ohms |
| Rise Time: | 7.3 ns |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8.4 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.4 V |
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0026Ом |
| Power Dissipation | 101Вт |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 101Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0026Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Стиль Корпуса Транзистора | LFPAK |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 277 КБ
Datasheet BUK7M3R3-40HX
pdf, 280 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
