SNCV5700DR2G, Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
![SNCV5700DR2G, Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR](https://static.chipdip.ru/lib/832/DOC028832871.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
360 руб.
от 10 шт. —
310 руб.
от 100 шт. —
262 руб.
от 250 шт. —
228.61 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 360 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Драйверы для управления затвором HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Configuration: | Inverting |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 7.9 ns |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +125 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Drivers: | 1 Driver |
Number of Outputs: | 1 Output |
Output Current: | 4 A |
Package / Case: | SOIC-16 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Product Category: | Gate Drivers |
Product Type: | Gate Drivers |
Product: | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
Rise Time: | 9.2 ns |
Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
Supply Voltage - Max: | 5 V |
Supply Voltage - Min: | 0 V |
Technology: | Si |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 400 КБ
Datasheet SNCV5700DR2G
pdf, 333 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем