SMP4117, JFET JFET N-Channel -40V Low Ciss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4981 шт., срок 6-8 недель
680 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
404 руб.
от 250 шт. —
349.47 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 680 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 90 uA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Forward Transconductance - Min: | 0.07 mS |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -1.8 V |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -40 V |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 376 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
