U309, JFET JFET N-Channel -25V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
491 шт., срок 6-8 недель
3 010 руб.
от 10 шт. —
2 530 руб.
от 25 шт. —
2 300 руб.
от 50 шт. —
2 166.69 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 010 руб.
Плати частями
от 754 руб. × 4 платежа
от 754 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Drain-Source Current at Vgs=0: | 30 mA |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Forward Transconductance - Min: | 10 mS |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | -4 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 1 nA |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-52-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Series: | U309 |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -25 V |
| Вес, г | 5.84 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 349 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
