2N7002K_R1_00001, MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
260448 шт., срок 5-7 недель
52 руб.
от 10 шт. —
38 руб.
от 100 шт. —
23 руб.
от 1000 шт. —
9.78 руб.
1 шт.
на сумму 52 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения2
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Panjit |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Forward Transconductance - Min: | 100 mS |
| Id - Continuous Drain Current: | 300 mA |
| Manufacturer: | Panjit |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 800 pC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3 Ohms |
| Series: | NFET-035T |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Вес, г | 60 |
Техническая документация
Datasheet 2N7002K_R1_00001
pdf, 410 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
