2N7002KDW_R1_00001, MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET - ESD Protected

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

26348 шт., срок 5-7 недель

69 руб.

от 10 шт. — 47 руб.

от 100 шт. — 28 руб.

от 1000 шт. — 12.42 руб.

1 шт. на сумму 69 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения4

Номенклатурный номер: 8004772343

Артикул: 2N7002KDW_R1_00001

Unclassified

Brand:	Panjit
Channel Mode:	Enhancement
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Forward Transconductance - Min:	100 mS
Id - Continuous Drain Current:	115 mA
Manufacturer:	Panjit
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Number of Channels:	2 Channel
Package / Case:	SOT-363-6
Pd - Power Dissipation:	200 mW
Product Category:	MOSFET
Product Type:	MOSFET
Qg - Gate Charge:	800 pC
Rds On - Drain-Source Resistance:	3 Ohms
Series:	NFET-035TS
Subcategory:	MOSFETs
Technology:	Si
Transistor Polarity:	N-Channel
Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	40 ns
Typical Turn-On Delay Time:	20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	-20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	2.5 V
Manufacturer	PANJIT
Continuous Drain Current (Id)	115mA
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)	3Ω@10V, 500mA
Drain Source Voltage (Vdss)	60V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)	2.5V@250uA
Input Capacitance (Ciss@Vds)	35pF@25V
Power Dissipation (Pd)	200mW
Total Gate Charge (Qg@Vgs)	800pC@4.5V
Type	1PCSNChannel
Вес, г	0.008

pdf, 329 КБ

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Мы рекомендуем