BC847B_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURP OSETRANSISTORS VCE45V IC100mA SOT-23

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9608 шт., срок 5-7 недель

52 руб.

от 10 шт. — 36 руб.

от 100 шт. — 16 руб.

от 1000 шт. — 8.72 руб.

1 шт. на сумму 52 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8004772389

Артикул: BC847B_R1_00001

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Panjit
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	45 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	600 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	100 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	200
DC Current Gain hFE Max:	450
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:	3000
Manufacturer:	Panjit
Maximum DC Collector Current:	100 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package / Case:	SOT-23-3
Pd - Power Dissipation:	330 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Series:	GPT-03TN
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.01