MMBT3906_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-200mA SOT-23
![MMBT3906_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-200mA SOT-23](https://static.chipdip.ru/lib/056/DOC027056577.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4588 шт., срок 5-7 недель
38 руб.
от 10 шт. —
24 руб.
от 100 шт. —
12 руб.
от 1000 шт. —
6.46 руб.
1 шт.
на сумму 38 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Panjit |
Collector- Base Voltage VCBO: | 40 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 400 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | -200 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 at-10 mA, -1 V |
DC Current Gain hFE Max: | 300 at-10 mA, -1 V |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 250 MHz |
Manufacturer: | Panjit |
Maximum DC Collector Current: | 200 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Series: | GPT-03TP |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | PNP |
Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 289 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.