PJA3460_R1_00001, MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

Фото 1/2 PJA3460_R1_00001, MOSFETs 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
50272 шт., срок 5-7 недель
120 руб.
от 10 шт.92 руб.
от 100 шт.54 руб.
от 1000 шт.26.87 руб.
1 шт. на сумму 120 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 8004772555
Артикул: PJA3460_R1_00001

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand: Panjit
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 6.4 ns
Id - Continuous Drain Current: 2.5 A
Manufacturer: Panjit
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 9.3 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 90 mOhms
Rise Time: 9.7 ns
Series: NFET-60TMN
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 18.5 ns
Typical Turn-On Delay Time: 3.2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 60 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Case SOT23
Drain current 2.5A
Drain-source voltage 60V
Gate charge 9.3nC
Gate-source voltage ±20V
Kind of channel enhanced
Kind of package reel, tape
Manufacturer PanJit Semiconductor
Mounting SMD
On-state resistance 90mΩ
Polarisation unipolar
Power dissipation 1.25W
Pulsed drain current 10A
Type of transistor N-MOSFET
Вес, г 41

Техническая документация

Datasheet
pdf, 402 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.