MT53D512M16D1DS-046 WT:D, DRAM LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Z11M
![Фото 1/2 MT53D512M16D1DS-046 WT:D, DRAM LPDDR4 8G 512MX16 FBGA Z11M](https://static.chipdip.ru/lib/694/DOC028694281.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/227/DOC007227057.jpg)
2 670 руб.
от 10 шт. —
2 350 руб.
от 25 шт. —
1 900 руб.
от 100 шт. —
1 675.96 руб.
1 шт.
на сумму 2 670 руб.
Плати частями
от 669 руб. × 4 платежа
от 669 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\DRAM
LPDDR4 MemoryMicron LPDDR4 Memory is optimized to address power consumption issues in battery operated applications. These memory devices offer 33% faster peak bandwidth compared to DDR4. The LPDDR4 Memory provide 5 times lower power consumption in standby mode compared to standard DRAM. These Memory Devices feature Multi-Chip Package (MCP) and Package-on-Package (PoP) designs that save PCB space. The LPDDR4 Memory Devices optimize x16, x32, and x64 configurations and offer BOM savings for certain applications. The LPDDR4 Memory combines performance, power, latency, and physical space that makes it energy-efficient. These LPDDR4 Memory Devices are suitable for handsets, battery operated applications, and ultra-portables.
Технические параметры
Brand: | Micron |
Data Bus Width: | 16 bit |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1360 |
Manufacturer: | Micron Technology |
Maximum Clock Frequency: | 2.133 GHz |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 8 Gbit |
Minimum Operating Temperature: | -25 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organization: | 512 M x 16 |
Package / Case: | VFBGA-200 |
Packaging: | Tray |
Product Category: | DRAM |
Product Type: | DRAM |
Series: | 110S |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Voltage - Max: | 1.1 V |
Type: | SDRAM Mobile-LPDDR4 |
Количество Выводов | 200вывод(-ов) |
Конфигурация памяти DRAM | 512M x 16бит |
Максимальная Рабочая Температура | 85 C |
Минимальная Рабочая Температура | -25 C |
Номинальное Напряжение Питания | 1.1В |
Плотность DRAM | 8Гбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | WFBGA |
Тактовая Частота | 2.133ГГц |
Тип DRAM | LPDDR4 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем