UJ4C075060K3S, MOSFETs 750V/60mOhms, SICFET,G4,TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1440 шт., срок 4-7 недель
2 160 руб.
от 25 шт. —
1 810 руб.
от 100 шт. —
1 370 руб.
от 250 шт. —
1 156.68 руб.
1 шт.
на сумму 2 160 руб.
Плати частями
от 540 руб. × 4 платежа
от 540 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
High-Performance SiC FETsUnitedSiC / Qorvo High-Performance SiC FETs deliver best-in-class switching speed, lower switching losses, higher efficiency, and excellent cost-effectiveness. The components are offered in standard thru-hole (including Kelvin) and surface mount packages. The family comprises the UF4C/SC, UJ4C/SC, UJ3C, and UF3C/SC series and is based on a unique cascode configuration, where a high-performance SiC JFET is co-packaged with a cascode-optimized Si-MOSFET to produce a standard gate drive SiC device.
Технические параметры
Brand: | Qorvo/UnitedSiC |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 30 |
Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
Manufacturer: | Qorvo |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 155 W |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Qualification: | AEC-Q101 |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 74 mOhms |
Series: | UJ4C |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | SiC |
Tradename: | SiC FET |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 750 V |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 457 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.