W989D6DBGX6E, DRAM 512Mb LPSDR, x16, 166MHz, 46nm
![W989D6DBGX6E, DRAM 512Mb LPSDR, x16, 166MHz, 46nm](https://static.chipdip.ru/lib/290/DOC029290851.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
501 шт., срок 5-7 недель
1 060 руб.
от 10 шт. —
890 руб.
от 100 шт. —
703 руб.
от 250 шт. —
633.33 руб.
1 шт.
на сумму 1 060 руб.
Плати частями
от 265 руб. × 4 платежа
от 265 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\DRAM
DRAM Product PortfolioWinbond DRAM Product Portfolio consists of Mobile RAM and Specialty DRAM for consumer, communication, peripheral, industrial, and automobile markets. Specialty DRAM features high performance and high speed for a complete solution. SDR, DDR, DDR2, and DDR3 feature support for industrial and automotive applications with AEC-Q100, TS16949, ISO9001/14001, OHSAS18001 certificates. Winbond provides professional advice to KGD customers, including SiP package bonding & power/thermal, DRAM simulation, wafer level on speed test, and more.
Технические параметры
Access Time: | 6 ns |
Brand: | Winbond |
Data Bus Width: | 16 bit |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 312 |
Manufacturer: | Winbond |
Maximum Clock Frequency: | 166 MHz |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 512 Mbit |
Minimum Operating Temperature: | -25 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organization: | 32 M x 16 |
Package / Case: | VFBGA-54 |
Product Category: | DRAM |
Product Type: | DRAM |
Series: | W989D6DB |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 38 mA |
Supply Voltage - Max: | 1.95 V |
Supply Voltage - Min: | 1.7 V |
Type: | SDRAM Mobile-LPSDR |
Техническая документация
Datasheet W989D6DBGX6I
pdf, 1189 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.