APT100GN60LDQ4G, IGBTs IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-246
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
4 030 руб.
1 шт.
на сумму 4 030 руб.
Плати частями
от 1 009 руб. × 4 платежа
от 1 009 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | Microchip Technology |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 600 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 229 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 229 A |
| Continuous Collector Current: | 229 A |
| Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 600 nA |
| Manufacturer: | Microchip |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -30 V, 30 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Operating Temperature Range: | -55 C to+175 C |
| Package/Case: | TO-264-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 625 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 11 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
